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  • ODD-12W美國 Opto Diode 光電二極管
    美國 Opto Diode 光電二極管

    美國 Opto Diode 光電二極管 ODD-12W ODD-632-004 唐經理 I582I984229

    更新時間:2025-06-11型號:ODD-12W訪問量:326
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  • ODD-5W美國 opto diode 光電二極管
    美國 opto diode 光電二極管

    美國 opto diode 光電二極管 ODD-5W ODD-632-002 唐 I582I984229

    更新時間:2025-06-11型號:ODD-5W訪問量:278
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  • ODD-1美國 Opto Diode 光電二極管
    美國 Opto Diode 光電二極管

    美國 Opto Diode 光電二極管 ODD-1 ODD-632-001 唐 I582I984229

    更新時間:2025-06-11型號:ODD-1訪問量:284
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  • ODD-3W-2美國 Opto Diode 光電二極管
    美國 Opto Diode 光電二極管

    美國 Opto Diode 光電二極管 ODD-3W-2 ODD-632-007 唐 I582I9854229

    更新時間:2025-06-11型號:ODD-3W-2訪問量:244
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  • ODA-6W-100M美國 OPTO DIODE 光電二極管
    美國 OPTO DIODE 光電二極管

    美國 OPTO DIODE 光電二極管 ODA-6W-100M 唐 I582I984229

    更新時間:2025-06-11型號:ODA-6W-100M訪問量:273
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  • SG01D-18S德國Sglux紫外光電二極管0.50 mm² 探測器面
    德國Sglux紫外光電二極管0.50 mm² 探測器面

    德國Sglux紫外光電二極管0.50 mm² 探測器面 紫外線寬帶 (UVA+UVB+UVC) 0.50 mm² 探測器面積 扁平 TO18 封裝,密封,帶 1 個絕緣引腳和 1 個外殼引腳 在 280 nm(峰值靈敏度)處進行 10 μW/cm² 的照射,產生約 8 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片(通過 PTB 檢測)

    更新時間:2025-04-01型號:SG01D-18S訪問量:408
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  • SG01D-18德國Sglux紫外光電二極管0.50 mm² 探測器面
    德國Sglux紫外光電二極管0.50 mm² 探測器面

    德國Sglux紫外光電二極管0.50 mm² 探測器面 紫外線寬帶 (UVA+UVB+UVC) 0.50 mm² 探測器面積 TO18 封裝,密封,帶 1 個絕緣引腳和 1 個外殼引腳 在 280 nm(峰值靈敏度)處進行 10 μW/cm² 的照射,產生約 8 nA 的電流 具有高耐輻射性的 SiC UV 光電二極管芯片(通過 PTB 檢測)

    更新時間:2025-04-01型號:SG01D-18訪問量:286
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  • SG01M6H-5德國Sglux紫外光電二極管6H SiC 芯片
    德國Sglux紫外光電二極管6H SiC 芯片

    德國Sglux紫外光電二極管6H SiC 芯片 紫外線寬帶 (UVA+UVB+UVC) 具有擴展 UVA 靈敏度的 6H SiC 芯片 0.20 mm² 探測器面積 扁平 TO5 封裝,密封,帶 1 個絕緣引腳和 1 個外殼引腳 在 290 nm(峰值靈敏度)處進行 10 mW/cm² 的照射,產生約 3200 nA 的電流

    更新時間:2025-04-01型號:SG01M6H-5訪問量:373
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